넥스틴 - 4Q22 Review

■ 4Q22 Review

 

매출액 219억원 (+56.4% YoY)

영업이익 97억원 (+93.9% YoY)

OPM 44.3%

 

중국향 매출 부분이 1분기로 이연

출처: DART

 

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현지 중국 기업들은 여전히 레거시 프로세스에 적극적으로 투자하고 있음을

여러 채널을 통해 확인 가능하다고 한다.

중국에서는 미국 제재에 적용되지 않는 레거시 노드에 대한 투자가 지속적으로 활발

23년 1월 일본 언론에 따르면, 일부 일본 반도체 장비사들도 미국 제재가 제한적이며

큰 영향을 받지 않는다고 밝혔음

 

<미국 상무부 반도체 제재 내용 요약>

 

-18nm 이하 DRAM

-128단 이상 NAND

-16nm 또는 14nm 이하 시스템 반도체용 장비의 중국 수출 금지

 

중국의 반도체 제조 공정은 미세공정보다 레거시 공정에 집중돼왔고, 앞으로 지속될 전망

현재 발표된 캐파 목표치의 대부분은 28nm 이상인 레거시 공정에 집중

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2023년 국내 반도체 업체들의 Capex 투자가 줄더라도

중국 반도체 업체 1,2위 업체인 SMIC와 화홍반도체의 투자 확대 기조에 따라 

국내 매출 감소 폭을 충분히 상쇄할 것으로 예상

 

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신규 장비인 미세정전기 제어 장비 레스큐는

현재 고객사에 데모 테스트 중으로 당장 매출에

기여하지는 않겠지만, 향후 동사의 신성장 동력이 될 것

 

전기를 활용한 제조 공정에서 정전기는 필연적으로 발생

클린룸 내에서 정전기가 발생되면 반도체 표면에 오염입자가 부착

이는 패턴 변경이나 소자 파괴 등의 문제를 야기할 수 있다.

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미세화 공정이 진행되면서 반도체 정전기 제거를 위한 신규 미세 정전기 제거 장비 출시 요구

포토공정이나 세정 공정에서 주로 발생하는 반도체 기판 제거가 기존 이오나이저로는 더 이상 제거하기 어려워지고 있다.

특히 PR 공정 시 고속 회전에 의한 웨이퍼 중앙의 정전기 발생 비율은

웨이퍼 외곽 대비 3배 이상 높게 형성

(∵ 성능과 수율에 영향)

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반도체 공정 미세화에 따라 최근 정전기는 중요한 문제로 인식

반도체 선폭이 10nm 이하로 미세화되며 더 미세한 정전기 제거가 요구

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동사가 인수한 자이시스는 이러한

고종횡비(High Aspect Ratio) 패턴 웨이퍼에 특화된 정전기 제거 기술을 확보

웨이퍼 표면과 Multi-Layer 하부층에 내재된 정전기를 제거할 수 있는 장비를 개발 중이다.

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당사가 개발을 준비하는 장비는 2024~25년에 본격적으로 도입될 예정

현재 EUV 공정 자체의 수율이 너무 낮아 미세 정전기 제거에 따른 효과는 제한적

하지만 EUV 수율이 90% 이상으로 개선될 경우, 더 미세화된 정전기 제거 기술에 대한 중요도가 부각될 것으로 판단

 

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최근 1월 18일에 공시한 삼성SDI향 검사 장비와 같이 신규 매출처 다각화도 진행 중

계약금액 38억원

출처: DART

 

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■ 23F 실적

 

매출액 1,690억원

영업이익 924억원

OPM 54.7%

순이익 831억원

EPS 8,351원

 

시가총액 ÷23F 순이익
=6.24

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■넥스틴 투자 포인트

1. '메모리+비메모리' 모두 사용

2. 공정 미세화 수혜

3. 신제품 기대감(3D 낸드 검사 장비 / 정전기 제거 장비)

4. 중국 반도체 투자 수혜

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https://arabozaeverything.tistory.com/8

넥스틴-반도체 Process Control (공정 제어)를 알아보자 3편