3D NAND 고단화 트렌드의 수혜주 'TEL+하나머티리얼즈'

■ 3D NAND 고단화 트렌드 부각

2H23~2024년 3D NAND 고단화 트렌드가 재차 부각
200단 이상 NAND 제품의 시장 침투율 증가에 따라
Double Stacking(더블스태킹) 기술 도입에 대한
니즈가 보다 강화될 것으로 전망

메모리 3사 (삼성전자, SK하이닉스, 마이크론)

모두 더블스태킹 적용

삼성전자는 Single Stacking(싱글 스태킹) 비중이 90% 수준인 것으로 파악

하반기로 지나면서 삼성전자는 더블스태킹 비중 확대를 원활하게 진행할 것으로 기대

 

현재 국내 Oxide Etcher 시장 내 미국 램리서치 점유율이 지배적

올해 하반기로 지나면서 TEL의 입지가 강화될 것으로 전망

TEL은 최근 가스 레시피 개발을 통해

신규 Oxide Etcher 장비 효율성을 극대화시킨 것으로 파악

 

삼성전자 내 Oxide Etcher 장비 점유율은

램리서치 60%, TEL 30% 수준 파악

 

SK하이닉스 내 Oxide Etcher 장비 점유율은

램리서치 39%, TEL 55% 수준 파악

출처: 유안타증권

 

TEL의 Oxide Etcher 시장 점유율 확대는

하나머티리얼즈 실적으로 연결될 것으로 판단

TEL의 Oxide Etcher 시장 점유율 확대

→ SiC Focus Ring 수요 증가

 

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■ 관련 개념 정리

 

식각 대상이 되는 막질에 따라 크게

전도체(Conductor) 식각과 유전체(Dielectric) 식각으로 나뉜다.

전도체 식각은 주로 기판 및 게이트를 식각

유전체 식각은 주로 Contact Hole을 식각

출처: 하나증권

NAND 고단화로 식각 AR(Aspect Ratio) 높아지는 추세

반도체 미세화 및 고단화로 이전보다 좁은 영역을 더욱 깊게 파내야 한다.

단순히 에너지를 높이는 것만으로는 목표한 만큼의 식각을 달성하는 것이 어려워지고 있다.

유전체 식각 공정 난이도 상승, 스텝 수 증가 등으로

향후 유전체 식각의 AR 상승이 지속될 것으로 전망됨에 따라

시장 규모 또한 확대되며 전체 식각 시장의 성장을 견인할 것으로 판단된다.

출처: 리딩투자증권

 

Focus Ring:

플라즈마가 정확한 위치로 모이도록 하고, 하부 ESC Chuck을 보호하는 역할

 

Focus Ring 소재:

Si, 쿼츠, SiC-CVD

 

Focus Ring은 Si, 쿼츠, SiC 소재 모두 사용

SiC Ring 낸드향 매출이 점차 확대되는 추세

이전까지 SiC는 Si에 탄소가 섞인 소재이기에

파티클 발생 시 불량을 야기할 수 있어 파티클 오염에 민감도가 낮은 공정에만 적용되었다.

그러나 낸드 고단화가 진행되면서 디램 대비 선폭이 여유로워지며 SiC의 채택이 가능해졌다.

 

SiC Ring의 비중이 높아질 수 있었던 이유는

뛰어난 내마모성으로 Si 대비 교체주기가 2배가량 길기 때문이다.

마모된 부품을 교체하기 위해 챔버를 멈춘 뒤 재가동하는 데 소요되는 비용은 회당 1억 원가량으로 추정된다.

이에 SiC Ring 가격이 Si Ring보다 2~3배 높음에도 불구하고

교체 단가와 수율 고려 시 경제성이 우수하다고 판단되어 채택률이 점차 높아지고 있다.

SiC 소재는 Focus Ring 이외에
ALD, epitaxy 증착 공정에 사용되는
Susceptor, Dummy Wafer, ESC, Heater 제품을 제조하는데 쓰인다.

이런 영역들의 국산화율은 낮다.

SiC-cvd 제조 기술을 보유한 국내 기업들의 제품 라인업 확대 가능성이 있다.

 

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■ 하나머티리얼즈 2023년 실적 전망치

 

매출액 2,822억원 (-8.2% YoY)
영업이익 765억원 (-18.4% YoY)
OPM 27.1%
당기순이익 636억원 (-20.6% YoY)
EPS 3,222원

출처: 삼성증권

시가총액 ÷ 23F 순이익(636억원)

=14.08

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