ON Semiconductor(ON-US)-전기차와 자율주행 수혜

출처: 하이투자증권

SiC(실리콘 카바이드) 전력 반도체, 차량용 이미지센서 전문 업체

현재 전기차의 1/3 가량이 SiC 전력반도체를 채택 중이며,
2025년에는 60%까지 상승할 전망

차량용 이미지센서(CIS)는 렌즈를 통해 들어오는 빛을 디지털 신호로 전환해주는 아날로그 반도체다.
2021년 기준 동사 차량용 이미지센서 시장 점유율 58%로 글로벌 1위

출처: 하이투자증권

2022년 매출 83억 달러(+23% YoY),
영업이익 23.4억 달러 (+82% YoY, 영업이익률 28.2%)

출처: 하이투자증권

SiC 전력반도체는 크게 웨이퍼, 소자, 모듈로 나뉘며 기술적 진입 장벽이 높다.
수직계열화를 이룬 업체는 전 세계적으로 4개 업체에 불과
Wolfspeed, On semiconductor, Rohm, II-Vi

 

현재 150mm(6인치) 이상 SiC 웨이퍼 생산이 가능한 회사는 전 세계 4곳
Wolfspeed, Coherent, SiCrystal, SK실트론
 200mm(8인치) SiC 웨이퍼 양산 가능한 곳은
Wolfspeed뿐이다.

출처: 하이투자증권

수직계열화를 하기 어려운 이유는 크게 두 가지다.

 

1. SiC 잉곳 제조 어려움

(증착 공정 활용한 제조로 난이도 ↑)

실액상성장법 (Liquid-phase epitaxy, LPE)를 통해 잉곳(웨이퍼 원재료) 형성 후 실리콘 웨이퍼 제조
그러나 SiC의 경우 파우더를 주로 물리적 기상 수송법(Physical vapor transport,
고온 화학적 기상 증착법(High temperature chemical vapor deposition) 등을 사용해 잉곳을 만들어야 한다.
잉곳을 증착하는 형식으로 성장시켜야 하기 때문에 
시간과 수율 컨트롤이 어렵고길게 성장시키기 어려워 높은 난이도를 요구한다.

SiC 잉곳 / 출처: ecplaza

2. Epitaxy 공정 필요

실리콘 웨이퍼와 달게 SiC 웨이퍼는 Epitaxy 공정을 통해 기판 표면에 단결정 박막을 성장시켜야 한다.
SiC 전력반도체 성능은 Epitaxy 품질에 의해 소자 신뢰성이 결정되기 때문에
기술적 진입장벽이 높다.

출처: 신한투자증권

출처: 신한투자증권

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출처: 하이투자증권

EU는 2024년 7월부터 모든 신차에 ADAS(Advanced Driver Assistance Systems)의 탑재를 의무화할 예정
일반 차량은 1~2개의 카메라가 탑재
ADAS가 적용되는 차량은 5~8개 카메라가 사용될 예정이다.
나아가 Lv3 자율주행 차량에는 8~12개 카메라가 탑재될 예정이며, 

자율주행 레벨이 높아질수록 탑재되는 카메라는 늘어날 것이다.(차량용 이미지센서 사용량 증가)

EU의 ADAS 탑재 의무화로 인해 2024년부터 차량용 이미지센서 시장 성장에 촉매가 될 것
전체 이미지센서 시장에서 차량용 이미지센서가 차지하는 비중은 8.6% 정도로 낮은 수준

출처: 하이투자증권

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출처: 하이투자증권

출처: 하이투자증권

온 세미콘덕터 차트

밸류에이션 상 주가가 싸지는 않다. 성장에 대한 방향성은 분명하지만 가격이 비싸다.

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